新一代3D X-DRAM技术亮相，有望彻底改变内存现状，该技术将大幅度提高内存容量，据称提升幅度高达十倍，这一创新技术的出现，将极大满足日益增长的数据存储需求，推动计算机性能质的飞跃，为未来的科技领域发展带来革命性的变革。
电脑知识网报道,近日NEO Semiconductor公司宣布推出两项革新性的3D X-DRAM单元设计，名为1T1C和3T0C，这两项设计有望彻底改变DRAM内存的现状。 这两种新的设计分别采用了单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，预计将在2026年生产概念验证测试芯片，它们预计提供的容量将是当前普通DRAM模块的十倍以上，达到单模块512Gb（64GB）的容量。 在NEO的测试模拟中，这些新设计的读写速度达到了惊人的10纳秒，并且保留时间超过9分钟，这两项性能指标均处于当前DRAM技术的前沿。 这些新设计采用了先进的氧化铟镓锌（IGZO）材料，并采用堆叠设计，可以像3D NAND一样构建，这种设计不仅提高了容量和吞吐量，还保持了节能状态。 NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性，这项创新突破了当前DRAM技术的扩展限制，使NEO成为下一代内存技术的领导者。” 本月，NEO Semiconductor计划在IEEE国际存储器研讨会上分享更多关于这两项新设计以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列产品的详细信息，会议上的讨论将围绕这些新技术的优势、潜在应用以及它们如何影响未来的计算技术和设备展开，随着这些新技术的不断发展，我们期待看到更多的突破和创新。
