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俄自研EUV光刻机曝光：11.2nm光源 每小时处理60片12吋晶圆
12月21日消息，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图，目标是打造比ASML系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长。
因此，新技术无法与现有EUV基础设施相容，需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统，可能需要数年甚至十年以上时间。
该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo
